| LSI微細加工 |
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| ●設計バグの修正検証を実デバイスで行うため、配線のつなぎ替え（回路修正/リペア）を行いたい |
| ●平坦化したデバイスの配線リペアをCADデータ無しでも行いたい |
| ●ポリイミド膜を形成したデバイスの加工では、 全面除去による信頼性低下/特性変化を最少限にしたい |
| ●モールド開封〜配線リペアまでのTATを短くしたい |
| ●MOS集積回路中の単体素子のDC特性を測定したい |
| ●指定箇所を狙い、断面構造を観察および組成分析したい |
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| ＜配線リペアについては＞ |
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| ・FIBによる配線接続と配線切断を行います |
| ・平坦化デバイスに対しては、 マーキング法およびCAD支援（GDS2）法で対応します
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・ポリイミド膜をレーザー（ダメージ・レス）で部分的（ 3μm2以上）に開口します
（もちろん全面除去も可能です） |
| ・パッケージ、チップ、ウエハ（6インチ以下）など、多様な試料形態に対応します |
| ・短TAT（最短１〜２日）で対応します（3台のFIBにより、特急での対応が可能です） |
| ・単体素子を配線リペアによって切り出し、プロービングによりDC特性を測定します |
| ＜構造解析については＞ |
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| ・指定箇所の断面TEM試料作製とTEM観察およびEDX分析/EELS分析を行います |
| ・SEM付きのFIBで観察/断面加工し、連続した断面のSEM/SIM観察とEDX分析を行います |
| 等のサービスをご提供致します。 |
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